當(dāng)前存儲(chǔ)市場(chǎng)正處于多種技術(shù)路線(xiàn)并行迭代的關(guān)鍵時(shí)期。一方面，應(yīng)用極為廣泛的DRAM和NAND Flash，是目前存儲(chǔ)市場(chǎng)上當(dāng)之無(wú)愧的主流產(chǎn)品，但都面臨制程持續(xù)微縮的物理極限挑戰(zhàn)，未來(lái)持續(xù)提升性能與降低成本變得更加困難。另一方面，3D XPoint、MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、RRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）等下一代存儲(chǔ)技術(shù)不斷開(kāi)發(fā)，取得技術(shù)突破并進(jìn)入市場(chǎng)應(yīng)用，ReRAM等技術(shù)研發(fā)布局加速開(kāi)展，市場(chǎng)空間有待挖掘。

半導(dǎo)體巨擘全面下注新一代存儲(chǔ)器市場(chǎng)

全球半導(dǎo)體巨擘正在下一代新型存儲(chǔ)器市場(chǎng)展開(kāi)強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)，目前英特爾、美光、三星與臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠(chǎng)皆已大舉投入下一代存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。三星電子正大力發(fā)展MRAM存儲(chǔ)器，在韓國(guó)器興廠(chǎng)區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。而另一半導(dǎo)體巨擘英特爾則是強(qiáng)攻含3D XPoint技術(shù)的PRAM型存儲(chǔ)器。臺(tái)積電同樣重視下一代存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)，目前已具備量產(chǎn)MRAM及阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等新型存儲(chǔ)器之技術(shù)。

國(guó)內(nèi)前瞻布局下一代技術(shù)存儲(chǔ)器

雖然我國(guó)在傳統(tǒng)存儲(chǔ)器布局落后很多，但在下一代技術(shù)存儲(chǔ)器早已戰(zhàn)略布局。我國(guó)科研力量在未來(lái)存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)扮演相當(dāng)重要角色。當(dāng)前中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過(guò)研發(fā)，已經(jīng)在STT－MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，此外，中國(guó)企業(yè)在新一代存儲(chǔ)器領(lǐng)域正積極開(kāi)展新型結(jié)構(gòu)、材料、工藝集成的前瞻性研究。我國(guó)在下一代技術(shù)存儲(chǔ)器的戰(zhàn)略布局將助推我國(guó)參與到新一代存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)行列中，避免國(guó)外廠(chǎng)商的全面壟斷。

3D XPoint 和 STT-MRAM技術(shù)不斷突破，發(fā)展勢(shì)頭良好

——3D XPoint發(fā)展迅速，未來(lái)?yè)碛芯薮笸诰蚩臻g

當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存DRAM、NAND Flash 等微縮制程逼近極限，3D XPoint發(fā)展迅速，已處于領(lǐng)先地位。相比于NAND Flash，3D XPoint擁有較低的延遲率，在 PCIe/NVMe 接口連接的時(shí)候，擁有高10倍的性能，且使用時(shí)間會(huì)長(zhǎng)1000倍、速度也將提升1000倍，持續(xù)讀寫(xiě)次循環(huán)超過(guò) 100 萬(wàn)次，這意味著這個(gè)存儲(chǔ)一旦裝上，在完好的情況下，可以永久使用。在大數(shù)據(jù)熱潮興起的背景下，未來(lái)3D XPoint仍面臨巨大的挖掘空間。

——STT-MRAM不斷取得重要技術(shù)突破、進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段

從一開(kāi)始的Field MRAM，進(jìn)展到in-plane MRAM，而發(fā)展到如今的STT-MRAM，STT-MRAM一路從翻轉(zhuǎn)磁化方向的機(jī)制改為自旋力矩移轉(zhuǎn)控制，在密度與效能上都得到了提升，此外，在操作速度方面，STT-MRAM與SRAM與DRAM的特性較為接近，因此成為追求速度的新選項(xiàng)，再加上其具有非揮發(fā)的特性，已經(jīng)成為眾多相關(guān)領(lǐng)域企業(yè)投入的重點(diǎn)技術(shù)。當(dāng)前STT-MRAM主要應(yīng)用市場(chǎng)包含IoT、車(chē)用、消費(fèi)與行動(dòng)裝置的MCU等，未來(lái)隨著其技術(shù)突破與容量的提升，STT-MRAM的應(yīng)用將更為廣泛。

各大企業(yè)紛紛開(kāi)展ReRAM技術(shù)研發(fā)布局

相比于NAND較慢的傳輸速度和DRAM易失性的不足，ReRAM具有電阻式隨機(jī)存取以及非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，其在可擴(kuò)展性、CMOS兼容性、低功耗和電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)方面具有明顯優(yōu)勢(shì)，未來(lái)前景可觀，吸引各大巨頭企業(yè)紛紛布局。ReRAM可以輕松擴(kuò)展到先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，能夠進(jìn)行大批量生產(chǎn)和供應(yīng)，并且能夠滿(mǎn)足神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等應(yīng)用對(duì)能耗和速度的要求。當(dāng)前Crossbar已經(jīng)向市場(chǎng)推出ReRAM解決方案，該解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)建3D ReRAM存儲(chǔ)芯片。此外，東芝、Elpida、索尼、松下、美光、海力士、富士通等廠(chǎng)商也在開(kāi)展ReRAM的研究和生產(chǎn)工作。在制造方面，中芯國(guó)際（SMIC）、臺(tái)積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）都已經(jīng)將ReRAM納入自己未來(lái)的發(fā)展線(xiàn)路圖中。